MS1336 - Microsemi Corporation

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-MS1336
Hersteller Teil #: MS1336
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - RF
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: RF TRANS NPN 18V 175MHZ M135
Verpackung: M135
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Lifecycle Status  
IN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)
Factory Lead Time  
32 Weeks
Mount  
Chassis, Stud
Mounting Type  
Chassis, Stud Mount
Package / Case  
M135
Number of Pins  
4
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
18V
Operating Temperature  
200°C TJ
Packaging  
Bulk
Published  
2003
Pbfree Code  
no
Part Status  
Obsolete
Moisture Sensitivity Level (MSL)  
1 (Unlimited)
ECCN Code  
EAR99
Max Power Dissipation  
70W
Pin Count  
4
Power - Max  
70W
Transistor Type  
NPN
Collector Emitter Voltage (VCEO)  
18V
Max Collector Current  
8A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce  
20 @ 250mA 5V
Gain  
10dB
Frequency - Transition  
175MHz
Collector Base Voltage (VCBO)  
36V
Radiation Hardening  
No
RoHS Status  
RoHS Compliant
Suche nach Teilenummer:MS1336 Enthaltenes Wort ist 3
Telefon Teilenummer Paket Beschreibung
MS1336 M135 RF TRANS NPN 18V 175MHZ M135
MS1406 M135 Trans GP BJT NPN 35V 3A 4-Pin Style M135
MS1402 M122 Trans GP BJT NPN 16V 0.75A 4-Pin Case M122
Verwandte Teile in MS1336
MS1336 Verwandtes Stichwort.
  • MS1336 Preis
  • MS1336 Verteilers
  • MS1336 Hersteller
  • MS1336 Technische Daten
  • MS1336 PDF
  • MS1336 Datenblätter
  • MS1336 Bild
  • MS1336 Foto
  • MS1336 Teil
  • MS1336 Lagerbestand
  • MS1336 Inventar
  • MS1336 Angebotsanfrage
  • Kaufen MS1336
  • MS1336 Anfrage
  • MS1336 Onlinebestellung
Häufig gestellte Fragen

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen
Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: RF TRANS NPN 18V 175MHZ M135
Verpackung: M135
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
Lagerbestand: 0 Kann sofort geliefert werden
Stückpreis: aufrufen

Sie haben nicht den gewünschten Preis?
Füllen Sie die Formulare aus und wir werden Sie so schnell wie möglich kontaktieren.

Zahlungsmethode

Die Gebühr wird gemäß den Regeln von PayPal erhoben.
Bei einer Überweisung fallen US$30,00 Bankgebühren an.
Die Gebühr wird gemäß den Regeln von PayPal erhoben.
Western Union erhebt eine Bankgebühr von US$0.00.

VERSANDKOSTEN

DHL(www.dhl.com)
Ab $40.00 Grundgebühr für den Versand, abhängig von Zone und Land.
UPS(www.ups.com)
Ab $40.00 Grundgebühr für den Versand, abhängig von Zone und Land.
FedEx(www.fedex.com)
Ab $40.00 Grundgebühr für den Versand, abhängig von Zone und Land.
Einschreiben(www.singpost.com)
Ab $40.00 Grundgebühr für den Versand, abhängig von Zone und Land.

Paket

Schritt1 Produkt
Schritt2 Gehäuse Drivepipe
Schritt3 Antistatikbeutel
Schritt4 Verpackungskartons
Schritt5 Barcode-Versandetikett

Neueste Produkte


Transistors - Bipolar (BJT) - RF

Transistors - Bipolar (BJT) - RF

Transistors - Bipolar (BJT) - RF
DC333A-A
Analog Devices Inc.
DC333A-A
Mehr erfahren

Transistors - Bipolar (BJT) - RF
DC644A
Analog Devices Inc.
LT5520EUF UPCON MIXER DEMO BOARD
Mehr erfahren

Transistors - Bipolar (BJT) - RF
DC945A
Analog Devices Inc.
LT5572EUF DEMO BOARD
Mehr erfahren

Transistors - Bipolar (BJT) - RF
DC1431A-C
Analog Devices Inc.
LTC5542IUH DEMO BOARD
Mehr erfahren

Transistors - Bipolar (BJT) - RF
G5S12010PM
Global Power Technology-GPT
DIODE SIL CARB 1.2KV 33A TO247AC
Mehr erfahren

Transistors - Bipolar (BJT) - RF
G5S6504Z
Global Power Technology-GPT
DIODE SIL CARB 650V 15.45A 8DFN
Mehr erfahren

Transistors - Bipolar (BJT) - RF
G4S06516BT
Global Power Technology-GPT
SIC SCHOTTKY DIODE 650V 16A 3-PI
Mehr erfahren

Transistors - Bipolar (BJT) - RF
G3S06520A
Global Power Technology-GPT
DIODE SIC 650V 56.5A TO220AC
Mehr erfahren